Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS80R1K2P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS80R1K2P7
IPS80R1K2P7AKMA1 Hakkında
IPS80R1K2P7AKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltajı ve 4.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.2Ohm maksimum on-state direnci (Rds On) ve 37W güç dissipasyon kapasitesi ile anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında, invertör ve konverter tasarımlarında tercih edilir. TO-251-3 IPak paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 10V gate drive voltajında 11nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama işlemleri mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-342 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok