Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS70R950CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO251
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS70R950CE
IPS70R950CEAKMA1 Hakkında
Infineon Technologies IPS70R950CEAKMA1, 700V dayanımlı N-Channel Super Junction MOSFET transistörüdür. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 7.4A sürekli akım kapasitesi ve 950mΩ (10V, 1.5A'da) RDS(on) değeri ile çalışır. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç anahtarlama uygulamalarında, switched-mode güç kaynakları (SMPS), motor kontrolü ve yüksek voltaj dönüştürücü devrelerde kullanılır. Super Junction teknolojisi sayesinde düşük kapı yükü (15.3nC @ 10V) ve düşük giriş kapasitesi (328pF @ 100V) özellikleri barındırır. Maksimum 68W güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 328 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok