Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS70R600P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS70R600P7S
IPS70R600P7SAKMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPS70R600P7SAKMA1, 700V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-channel MOSFET transistörüdür. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, 8.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Güç kaynağı sistemleri, inverterler, anahtarlama regülatörleri ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. ±16V maksimum gate gerilimi ile güvenli çalışma ortamı sunar ve -40°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 10.5nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 364 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 1.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok