Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS70R2K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS70R2K0CE
IPS70R2K0CEAKMA1 Hakkında
IPS70R2K0CEAKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 700V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Super Junction teknolojisi sayesinde düşük RDS(on) değeri (2Ω @ 1A, 10V) sağlar. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu komponent, güç kaynakları, şarj devreleri, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik ürünlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 7.8nC gate charge ve 163pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlamaya uygun karakteristiklere sahiptir. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 163 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok