Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS70R1K4P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS70R1K4P7
IPS70R1K4P7SAKMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPS70R1K4P7SAKMA1, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 700V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı ile güç elektronikleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ve düşük gate charge (4.7nC) ile hızlı anahtarlama sağlar. TO-251-3 paketinde sunulan bileşen, -40°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına sahiptir. Endüstriyel, otomotiv ve telekomünikasyon uygulamalarında güç yönetimi ve anahtarlama kontrol devreleri için uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 158 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 22.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 700mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok