Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS70R1K4CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS70R1K4CE
IPS70R1K4CEAKMA1 Hakkında
IPS70R1K4CEAKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 700V N-channel Super Junction MOSFET transistördür. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 5.4A sürekli dren akımı ve 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10.5 nC gate charge ve düşük kapasitans değerleriyle hızlı komütasyon sağlar. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, UPS sistemleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi yüksek gerilim uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında stabil çalışır ve 53W güç yayılımı kapasitesi vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok