Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS65R950C6AKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS65R950C6
IPS65R950C6AKMA1 Hakkında
IPS65R950C6AKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 4.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, maksimum 37W güç dağıtabilen bu bileşen anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. 10V gate sürücü geriliminde 950mOhm on-direnci ile verimli çalışır. TO-251-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel sürücüler, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, çeşitli ortamlar için uygunluğunu sağlar. 15.3nC kapı yükü ve 328pF giriş kapasitanslı tasarımı hızlı anahtarlama performansını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 328 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok