Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS65R650CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 10.1A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS65R650CE
IPS65R650CEAKMA1 Hakkında
IPS65R650CEAKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 700V N-channel MOSFET transistörüdür. 10.1A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (650mOhm @ 2.1A, 10V) sayesinde enerji verimliliği gerektiren devrelerde tercih edilir. Anahtarlama uygulamaları, SMPS (Switch Mode Power Supply), motor kontrol ve yüksek voltajlı DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 86W güç tüketimini destekler. Last Time Buy status nedeniyle stok sınırlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok