Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS65R1K5CEAKMA1
MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS65R1K5CE
IPS65R1K5CEAKMA1 Hakkında
IPS65R1K5CEAKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltajı ve 3.1A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.5Ω maksimum on-direnci (10V gate gerilimi, 1A drain akımında) ve TO-251 paketleme ile endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, inverter ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. -40°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı ve 28W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Düşük gate charge (10.5nC) hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok