Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS65R1K4C6AKMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS65R1K4C6AKMA1
IPS65R1K4C6AKMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPS65R1K4C6AKMA1, 650V drain-source gerilimi ve 3.2A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET'tir. TO-251-3 paketinde sunulan bu transistör, 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Yüksek voltajlı güç dönüştürme, motor sürücüleri, enerji yönetimi ve AC-DC adaptörleri gibi uygulamalarda kullanılır. 28W güç dissipasyonu kapasitesi ve 10.5nC gate charge değeri hızlı anahtarlama operasyonlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok