Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS65R1K4C6
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS65R1K4C6
IPS65R1K4C6 Hakkında
IPS65R1K4C6, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V Drain-Source gerilim ve 3.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 1.4Ω (@ 1A, 10V) RDS(on) değeri ile kaynağından drenajına minimum gerilim düşüşü sağlar. ±20V maksimum gate gerilimi ve 3.5V threshold voltajı özelliklerini taşır. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır ve 28W maksimum güç tüketebilir. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürme devreleri, invertörler ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 10.5nC gate charge ve 225pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok