Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS65R1K0CEAKMA2
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS65R1K0CE
IPS65R1K0CEAKMA2 Hakkında
IPS65R1K0CEAKMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 7.2A maksimum drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 1Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç yönetimi, anahtarlama ve invertör devrelerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Gate charge değeri 15.3nC olup, hızlı açma/kapanma işlemleri gerektiren uygulamalarda etkili çalışır. Endüstriyel ve ticari elektrik dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılan bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 328 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-342 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok