Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS65R1K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS65R1K0CEA
IPS65R1K0CEAKMA1 Hakkında
IPS65R1K0CEAKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltajı ve 4.3A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları ve AC/DC dönüştürücülerde yer alır. 1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur. Gate charge değeri 15.3nC olup, hızlı anahtarlama işlemlerine izin verir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 328 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok