Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS60R360PFD7SAKMA1
MOSFET N-CH 650V 10A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS60R360PFD7S
IPS60R360PFD7SAKMA1 Hakkında
IPS60R360PFD7SAKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim, 10A sürekli akım kapasitesi ve 360mΩ on-state direnç ile medium voltage güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketlemesi ile through-hole montajı destekler. -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, 43W maksimum güç dağıtımı ile endüstriyel motor kontrol, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücü ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. ±20V gate gerilim aralığı ve 12.7nC gate charge karakteristikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 534 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 140µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok