Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS60R280PFD7SAKMA1
CONSUMER PG-TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS60R280PFD7
IPS60R280PFD7SAKMA1 Hakkında
IPS60R280PFD7SAKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 280mΩ RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. Gate charge değeri 15.3nC olup hızlı komütasyon özellikleri sunar. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, şebeke güç kaynakları, adaptörler, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı ve 51W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile çeşitli ortamlarda güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 656 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 51W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 180µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok