Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS60R210PFD7SAKMA1
MOSFET N-CH 650V 16A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS60R210PFD7
IPS60R210PFD7SAKMA1 Hakkında
IPS60R210PFD7SAKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 16A sürekli dren akımı kapasitesi ve 210mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-251-3 paketinde sunulan bu komponen, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç yönetimi sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak görev yapar. -40°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, 64W maksimum güç dağılımına sahiptir. 23nC kapı yükü ve 1015pF giriş kapasitanslı yapısı, hızlı anahtarlama ve düşük kapı sürüş gereksinimleri gerektiren uygulamalar için uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1015 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 64W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok