Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS60R1K0PFD7SAKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.7A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS60R1K0PFD7
IPS60R1K0PFD7SAKMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPS60R1K0PFD7SAKMA1, 650V dayanıklılığa sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 4.7A sürekli drenaj akımı ve 1Ω maksimum RDS(on) değeri ile uygulamalara sunulur. 10V kapı sürü voltajında çalışan transistör, 26W güç dağıtabilir. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve enerji yönetimi sistemlerinde kullanılır. Düşük kapı yükü (6nC @ 10V) ve 4.5V eşik voltajı hızlı komütasyon özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 26W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok