Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS13N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS13N03LA
IPS13N03LA G Hakkında
IPS13N03LA G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltajında 30A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketlemesi sayesinde kompakt uygulamalarda kullanılabilir. 10V gate voltajında 12.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığında istikrarlı performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılan bir bileşendir. 46W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta güç seviyesi uygulamalarına uygundur. Ürün Infineon'ın üretim tarafından kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumda olup, arşiv veya yedek parça bulma işlemlerinde tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1043 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok