Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS12CN10LGBKMA1
MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS12CN10
IPS12CN10LGBKMA1 Hakkında
IPS12CN10LGBKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 69A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) kütüğü ile montajı kolaydır. 11.8mΩ (10V, 69A'de) düşük on-state direnci sayesinde enerji kaybını minimalize eder. Gate threshold voltajı 2.4V'tır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 125W güç dağıtımına dayanır. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 69A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.8mOhm @ 69A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 83µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok