Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS118N10N G
MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS118N10N
IPS118N10N G Hakkında
IPS118N10N G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 75A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 11.8mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-251-3 (IPak) paket tipi sayesinde kompakt tasarımlar için uygundur. Anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılabilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 125W maksimum güç tüketimine dayanıklı tasarlanmıştır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4320 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.8mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok