Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS110N12N3GBKMA1
MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS110N12N3G
IPS110N12N3GBKMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPS110N12N3GBKMA1, 120V Drain-Source gerilim ve 75A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. TO-251-3 (IPak) paket tipi ile sunulan bu transistör, güç yönetimi, motor kontrol, elektrik aydınlatma uygulamaları ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 11mΩ maksimum gate kaynağı direnci (Rds On), 65nC gate yükü ve -55°C ile 175°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde; yüksek güç disipasyonu (136W) gerektiren uygulamalarda etkin bir çözüm sunar. ±20V gate gerilim toleransı ve 4V eşik gerilimi ile güvenilir anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4310 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok