Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS09N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS09N03LB
IPS09N03LB G Hakkında
IPS09N03LB G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 9.3mΩ düşük on-direnç (Rds On) değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışır. TO-251-3 (IPak) paket türü ile monte edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 58W maksimum güç dağılımı ile orta güç seviyesi uygulamalarına uygundur. 13nC kapı yükü (Gate Charge) hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok