Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS090N03LGAKMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS090N03LGA
IPS090N03LGAKMA1 Hakkında
IPS090N03LGAKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 40A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 42W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 2.2V gate threshold voltajı ve 15nC gate charge değerleri hızlı anahtarlamayı destekler. MOSFET teknolojisine dayalı bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok