Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS075N03LGBKMA1
MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS075N03
IPS075N03LGBKMA1 Hakkında
IPS075N03LGBKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 50A sürekli akım kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 7.5 mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu komponent, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok