Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS060N03LGBKMA1
MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS060N03LGB
IPS060N03LGBKMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPS060N03LGBKMA1, 30V drain-source voltajında çalışan N-channel MOSFET transistördür. 50A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-251-3 (IPak) paketinde sunulmaktadır. 6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük sıcaklıkta (10V gate voltajında, 30A akımda) anahtarlama uygulamalarında verimli çalışma sağlar. 23nC gate charge ve 2400pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon gerektiren motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü devrelerde kullanılır. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında ve maksimum 56W güç disipasyonu kapasitesiyle çeşitli endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. Ürün mevcut durumu itibariyle obsolete (üretimi durdurulmuş) olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok