Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS060N03LGAKMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS060N03LGA
IPS060N03LGAKMA1 Hakkında
IPS060N03LGAKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 6mΩ maksimum on-direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-251-3 (IPak) paket tipi ile through-hole montajı destekler. -55°C ile 175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. 56W maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunur. Motor kontrolleri, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlaması gibi endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında kullanılabilir. Ürün statüsü discontinue olmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok