Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS050N03LGBKMA1
MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS050N03LGB
IPS050N03LGBKMA1 Hakkında
IPS050N03LGBKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel power MOSFET'tir. 30V Drain-Source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 5mΩ on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 4.5V ve 10V gate sürücü gerilimlerinde çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. TO-251-3 IPak paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 68W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge karakteristiği (31nC @ 10V) ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok