Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS050N03LGAKMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS050N03LGA
IPS050N03LGAKMA1 Hakkında
IPS050N03LGAKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 50A sürekli akım kapasitesine sahiptir. Düşük on-resistance değeri (5mOhm @ 30A, 10V) ile güç dağılımını minimize eder. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrollerinde, DC-DC konvertörlerde ve anahtarlama devrelerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenli işlem yapar. 68W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok