Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS040N03LGBKMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS040N03
IPS040N03LGBKMA1 Hakkında
IPS040N03LGBKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 90A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 4mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Motor kontrol, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanır. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Deprecated durumda olan bu üretim sonlandırılmış bileşenin yerine güncel alternatifler kullanılması önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok