Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS040N03LGAKMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS040N03LGA
IPS040N03LGAKMA1 Hakkında
IPS040N03LGAKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET'idir. 30V Drain-Source gerilimi ve 90A sürekli drenaj akımı özelliğine sahip bu transistör, düşük açık direnç değeri (Rds On: 4mΩ @ 30A, 10V) ile yüksek verim sağlar. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan komponent, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilme kapasitesi geniş sıcaklık aralıklarında işlem yapılmasına olanak tanır. 79W maksimum güç dağılımı özelliği ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilen bir çözümdür. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok