Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS03N03LA G
MOSFET N-CH 25V 90A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS03N03LA
IPS03N03LA G Hakkında
IPS03N03LA G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 90A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 IPak paketinde sunulan bu komponent, düşük on-resistance (Rds On: 3.4mΩ @ 10V) ile verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve batarya yönetim sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum 115W güç tüketiminde güvenli işlem yapabilir. Gate charge ve input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama gerektirecek devreler için uygun bir seçimdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 70µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok