Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP90R800C3XKSA2

MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP90R800C3

IPP90R800C3XKSA2 Hakkında

IPP90R800C3XKSA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 6.9A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç dönüştürme, motor kontrol ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışır. 42nC gate charge ve 800mOhm maksimum on-direnç özellikleri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Switchmode güç kaynakları, UPS sistemleri ve IGBT sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4.1A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 460µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok