Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP90R500C3XKSA1

MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP90R500C3

IPP90R500C3XKSA1 Hakkında

IPP90R500C3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source gerilim (Vdss) ve 11A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlama ve doğrultma işlevlerinde kullanılır. 500mΩ maksimum on-direnci (Rds On), düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı ve 156W maksimum güç dağıtım kapasitesi, endüstriyel inverter, AC/DC konvertör ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilmesini sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 6.6A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 740µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok