Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP90R1K0C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP90R1K0C3
IPP90R1K0C3XKSA1 Hakkında
IPP90R1K0C3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi görevlerinde kullanılır. 5.7A sürekli dren akımı kapasitesi ve 1Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybında çalışır. 89W maksimum güç tüketimi desteği ile endüstriyel denetim devreleri, güç kaynakları, inverterler ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında işletim imkanı sağlar. Cihaz obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 370µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok