Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP80R900P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP80R900P7
IPP80R900P7XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP80R900P7XKSA1, 800V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımına sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. 900mΩ maksimum on-state direnci (10V gate geriliminde 2.2A'de) ve 45W maksimum güç dağılımı özellikleriyle, güç elektronikleri devreleri, motor kontrol sistemleri, enerji yönetimi ve indüktif yük anahtarlamalarında uygulanabilir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlarda kullanım sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 110µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok