Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP80R600P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP80R600P7XKSA1
IPP80R600P7XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP80R600P7XKSA1, 800V drain-source gerilim ile çalışabilen N-channel MOSFET transistördür. 8A sürekli drain akımı kapasitesi ve 60W maksimum güç tüketimi ile anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 600mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paket tipinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok