Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP80R450P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP80R450P7
IPP80R450P7XKSA1 Hakkında
IPP80R450P7XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Super Junction teknolojisi sayesinde düşük RDS(on) değerine (450mOhm @ 4.5A, 10V) sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, switch mode güç kaynakları (SMPS) ve enerji yönetimi sistemlerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 73W güç dissipasyonuna dayanıklıdır. Gate threshold voltajı 3.5V olan bu MOSFET, hızlı anahtarlama özelliği ile verimli enerji dönüşümü sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 770 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 73W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 220µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok