Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP80R360P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP80R360P7

IPP80R360P7XKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPP80R360P7XKSA1, 800V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. 13A sürekli drenaj akımı ve 360mΩ @ 5.6A, 10V RDS(on) direnci ile endüstriyel anahtarlama, güç kaynakları, motor kontrolü ve elektrik motor sürücüleri gibi uygulamalarda kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında 84W maksimum güç dağılımına dayanabilir. 10V gate sürme gerilimi ile kontrol edilen transistör, 3.5V eşik gerilimi ve düşük gate charge özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 500 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 84W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5.6A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 280µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok