Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP80R280P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP80R280P7

IPP80R280P7XKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPP80R280P7XKSA1, 800V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-channel Super Junction MOSFET'tir. 17A sürekli drenaj akımı ve 280mΩ @ 7.2A/10V on-direnç (Rds On) ile güç anahtarlama ve dönüştürme devrelerinde kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu transistör, endüstriyel uygulamalar, AC/DC güç kaynakları, yüksek voltaj inverterleri ve anahtarlı güç tedavi sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında maksimum 101W güç saçabilir. Gate charge 36nC ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile verimli devre tasarımına olanak tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature Super Junction
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 500 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 7.2A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 360µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok