Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP80R1K4P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP80R1K4P7
IPP80R1K4P7XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP80R1K4P7XKSA1, 800V drain-source voltajında çalışan N-kanal MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisini kullanarak tasarlanmış bu bileşen, 4A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta ve yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. TO-220-3 paketlemesi sayesinde basit montaj ve uygun ısıl yönetim imkânı sunmaktadır. Güç kaynakları, AC-DC dönüştürücüler, anahtarlama devrelerinde ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok