Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP80R1K2P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP80R1K2P7
IPP80R1K2P7XKSA1 Hakkında
IPP80R1K2P7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 4.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 37W güç disipasyon kapasitesi, endüstriyel AC/DC dönüştürücüler, dc-dc konvertörler, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok