Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP80P04P4L08AKSA1

MOSFET P-CH 40V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP80P04P4L08

IPP80P04P4L08AKSA1 Hakkında

IPP80P04P4L08AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 40V drain-source voltajında 80A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8.2mΩ (10V, 80A) on-state direncine ve 92nC gate charge değerine sahip olan cihaz, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında 75W güç dissipasyonuna dayanabilir. Yüksek entegrasyon gerektiren modern elektronik uygulamalarında ve eski tasarımların bakımında tercih edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5430 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) +5V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 120µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok