Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP80P03P4L04AKSA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP80P03P4L04
IPP80P03P4L04AKSA1 Hakkında
IPP80P03P4L04AKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 30V drain-source voltajında 80A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 4.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 160nC olup hızlı anahtarlama karakteristiğine izin verir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrolü, yük anahtarlama ve inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur. Maksimum 137W güç tüketebilir. NOT: Ürün yeni tasarımlar için tavsiye edilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 137W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +5V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 253µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok