Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP80N08S406AKSA1
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP80N08S406
IPP80N08S406AKSA1 Hakkında
IPP80N08S406AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltaj desteği ile 80A sürekli dren akımını karşılayabilir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve AC/DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. 5.8mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışır ve 150W maksimum güç dağıtabilir. 70nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok