Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP80N08S2L07AKSA1

MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP80N08S2L07

IPP80N08S2L07AKSA1 Hakkında

IPP80N08S2L07AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75V drain-source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipi ile montajı kolaydır. 7.1mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlayarak enerji kaybını minimalize eder. 233nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Güç dönüştürücüleri, motor sürücüler, DC-DC konvertörler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, 300W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok