Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP80N08S207AKSA1

MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP80N08S207

IPP80N08S207AKSA1 Hakkında

IPP80N08S207AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 75V drain-source voltaj ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-220-3 paket içinde sunulmaktadır. 7.4mΩ maximum on-state resistance ve 300W güç disipasyonu özellikleriyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak yer alır. Gate charge değeri 180nC ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Tüm pinlere kolay erişim için through-hole montaj tipi tercih edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok