Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP80N06S4L05AKSA2

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP80N06S4L05

IPP80N06S4L05AKSA2 Hakkında

IPP80N06S4L05AKSA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel güç MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ve 80A sürekli drain akımı ile yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 110nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. TO-220-3 paket tipinde gelen bu MOSFET, motorlar, güç kaynakları, LED sürücüler ve DC-DC konverter gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8180 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 40A, 4.5V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 60µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok