Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP80N06S407AKSA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP80N06S407

IPP80N06S407AKSA1 Hakkında

IPP80N06S407AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç dönüştürme, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 7.4mOhm maksimum Ron değeri ve 56nC gate charge karakteristiği ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında, 79W maksimum güç disipasyonuna kapasitedir. 10V drive voltajında optimal performans gösterir ve ±20V maksimum gate-source voltajı tolerans aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 40µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok