Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP80N06S3L-08

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP80N06S3L

IPP80N06S3L-08 Hakkında

IPP80N06S3L-08, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-220-3 paket tipinde sunulmaktadır. 7.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışır, maksimum 105W güç dağıtabilir. Gate charge değeri 134nC (10V) olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Vgs threshold voltajı 2.2V (55µA) dir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, güç kaynağı tasarımları ve anahtarlamalı regülatörlerde kullanılır. Not: Ürün obsolete (üretimi sonlandırılmış) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6475 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.9mOhm @ 43A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 55µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok