Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP80N06S3L-06

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP80N06S3L

IPP80N06S3L-06 Hakkında

IPP80N06S3L-06, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source voltajı ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5.9mΩ maksimum on-direnci (10V gate voltajında 56A akımda) ile düşük kayıplar sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışan bu bileşen, anahtarlama, motor kontrolü, güç yönetimi devrelerinde yer alır. 196nC gate charge ve 9417pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlamaya elverişlidir. TO-220-3 paketlemesinde sunulan bu MOSFET, ±16V maksimum gate-source voltajı aralığında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9417 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 56A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 80µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok